安规电容-纳仕特，国产陶瓷电容-安规电容采购

陶瓷电容器具有耐热性能好，绝缘性能优良，结构简单，价格低廉等优点，但不同陶瓷材料其特性有非常大的差异，必须根据使用要求正确选用，安规电容，陶瓷电容按频率特性分有高频瓷介电容器（1类瓷）和低频瓷介电容器（2类瓷），按耐压区分有高压瓷介电容器（1KVDC以上）和低压瓷介电容器（500VDC以下）。

陶瓷电容器虽有上述很多优点，但因陶瓷材料本身机械强度低、易破碎这一缺陷，使其圆片的几何尺寸受到限制，这也是不同温度特性有不同容量范围的主要原因，通常标准上对低压50V-100V圆片电容的允许直径13mm，高压电容的圆片允许直径21mm，如超过这一尺寸，生产加工难度和废品率机会有很大的增加。

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      陶瓷电容一般由陶瓷芯片和片上镀的金属膜形成点极，焊接出引线外面再由环氧树脂包封，然后激光打印，其容量大小由陶瓷片的面积和厚度因素决定，其耐压由陶瓷厚度决定，陶瓷电容常用的几种材质：Y5P；Y5V；Y5U；X7R；NPO，安规电容作用，那么这些材质代表什么意思呢？下面就让东莞市纳仕特电子科技有限公司来给大家介绍一下。

      1、Y5P的温度补偿性能好，全温度范围内的电容值变化范围为±10%；

      2、Y5U对温度变化无补偿性，全温度范围内的电容值变化范围为+22%/-56%；

      3、Y5V表示工作在-30~+85度，整个温度范围内偏差-82%~+22%；

      4、X5R表示工作在-55~+85度，整个温度范围内偏差正负15%；

      5、X7R表示工作在-55~+125度，整个温度范围内偏差正负15%；

      6、NPO是温度特性***稳定的电容器，电容温漂很小，整个温度范围容量很稳定，温度也是-55~125度，适用于振荡器，超高频滤波去耦。

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      陶瓷电容的容量随直流偏置电压的变化而变化，直流偏置电压降低了介电常数， 因此需要从材料方面，降低介电常数对电压的依赖，优化直流偏置电压特性，应用中较为常见的是 X7R（X5R）类多层陶瓷电容，它的容量主要集中在1000pF以上。

      该类电容器主要性能指标是等效串联电阻，在高波纹电流的电源去耦、滤波及低频信号耦合电路的低功耗表现比较突出，另一类多层陶瓷电容是C0G类，它的容量多在1000pF以下，该类电容器主要性能指标是损耗角正切值tgδ(DF)。

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